7月28日 新刊情報
特集 ワイドギャップ半導体の研究
B5判 128ページ 定価2,310円
現在使用されている最先端のパワー・デバイスはSi(シリコン)という半導体材料がもつ性能を，ほぼ限界まで引き出しており，Siの物性の限界から大幅な発展は困難な状況です．そんななかで，近年，大きな注目を集めているのが，ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイス(ワイドギャップ半導体)です．ワイドギャップ半導体は，Siに比べてパワー・エレクトロニクス応用の観点で素晴らしい物性を有しており，大きなポテンシャルを秘めています．ワイドギャップ半導体を使えば，Siでは到底実現不可能な，低損失，高速スイッチング，高温動作が可能になります．
本書では，半導体デバイスの動作原理について説明し，なぜワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できるかを説明します．なかでも研究が進んでおり，非常に有望な材料である，炭化硅素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)について，それぞれの材料の特徴，基礎研究の進展具合，具体的なデバイスの開発状況について紹介します．
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